摘要 TiO2 是一种适用于光阴极保护的有吸引力的半导体，但其对可见光的弱吸收和低量子产率限制了其使用。在这里，制备了一种新的异质结构 SnIn4S8 纳米片/TiO2 纳米管光阳极，并分析了其光阴极保护性能。通过溶剂热处理，SnIn4S8 纳米片均匀地沉积在 TiO2 纳米管的表面。 SnIn4S8/ 由于其良好的可见光响应和光生载流子分离效率，与纯 TiO2 纳米管相比，TiO2 复合材料表现出更好的光阴极保护性能。此外，复合材料的最大光电流密度为 100 μA cm-2 在可见光照射下进行 6 小时的溶剂热反应。与 SCE 相比，连接到复合材料的 Q235 碳钢的光致电位负移可达到 0

摘要 在这项工作中，在不使用有害磷源的情况下，通过简单温和的水热法制备了磷化钴纳米粒子（Co2P NPs）。 Co2P 的形态结构和表面成分通过透射电子显微镜、X 射线衍射和 X 射线光电子能谱测量表征。考虑到过渡金属磷化物优异的电催化还原活性和良好的导电性，我们在氧化铟锡 (ITO) 衬底 (Co2P/ITO) 上制备了 Co2P NPs 用于 H2O2 检测。 Co2P/ITO 换能器显示出不到 5 秒的快速安培响应，更宽的响应范围从 0.001 到 10.0 mM，低检测限为 0.65 μM。此外，非酶Co2P/ITO传感器表现出优异的选择性、重现性、重复性和稳定性，所有这些都证明Co

摘要 在本文中，我们提出了一种等离子体手性超表面吸收器（CMSA），它可以在光频率下对右旋和左旋圆偏振（RCP，“+”和LCP，“-”）光实现高选择性吸收。 CMSA 由夹有双层四重扭曲半圆金属纳米结构的介电基板组成。拟议的 CMSA 具有很强的选择性吸收带，其中 LCP 和 RCP 光的吸收峰出现在不同的共振频率，反映了显着的圆二色性 (CD) 效应的存在。结果表明，LCP 光的 CMSA 吸光度可达 93.2%，RCP 光可达 91.6%，最大 CD 幅度分别在 288.5 THz 和 404 THz 附近达到 0.85 和 0.91。 CMSA 的强手性响应的机制通过晶胞纳米结构的电场

摘要 本研究展示了一种简单的末端键合接触 InAsSb NW（纳米线）阵列检测器的制造，用于弱光。该探测器使用通过分子束外延在 GaAs 衬底上生长的 InAsSb NW 阵列制造。金属诱导的间隙状态是由末端键合接触引起的，它抑制了各种温度下的暗电流。由于界面间隙态的界面偶极子的存在增强了局部场周围的光激发，从而提高了对弱光的光响应性和光电探测性。本报告中红外光源的光强为 14 nW/cm2 这比激光源小约 3 到 4 个数量级。探测器在室温下对光（945 nm）辐射的响应度达到了28.57 A/W，而探测率为4.81 × 1011 cm·Hz1/2 W−1 .在变温实验中出现了异常的温度相

摘要 近年来，具有诊断和治疗功能的多功能纳米粒子在纳米医学中显示出巨大的潜力。在这项研究中，我们报道了使用o通过微等离子体环保合成荧光碳纳米点，如碳量子点（CQDs） -苯二胺。产生的 CQD 在 380-500 nm 处表现出较宽的吸收峰，并发出亮黄色荧光，在 550 nm 处有一个峰。 CQD 被 HeLa 癌细胞迅速吸收。当在蓝光下激发时，会有效地产生亮黄色荧光信号和强活性氧 (ROS)，使荧光癌细胞成像和光动力灭活同时进行，相对细胞活力降低 40%。此外，在与 400 μg mL-1 孵育后，约 98% 的细胞具有活性 黑暗中的 CQDs，揭示了 CQDs 优异的生物相容性。因此，新

摘要 GaAs纳米结构由于具有增加光子吸收等优异性能而受到越来越多的关注。 GaAs衬底上的制备工艺鲜有报道，而且大部分制备工艺复杂。在这里，我们报告了使用简单的电感耦合等离子体蚀刻工艺的黑色 GaAs 制造工艺，没有额外的光刻工艺。制造的样品具有低反射率值，接近于零。此外，黑色 GaAs 还表现出疏水性，水接触角为 125°。这种黑色砷化镓蚀刻工艺可以添加到光电探​​测器和太阳能电池器件的制造流程中，以进一步改善其特性。 介绍 由于其独特的光学特性，光捕获结构在光伏器件中发挥着越来越重要的作用[1]。目前，研究人员已经开发了各种纳米结构作为光捕获结构来增加光伏中的光吸收，而其中大部分

摘要 在过去的几十年里，微机电系统 (MEMS) 设备的进步对将经济小型化的传感器与制造技术的集成提出了很高的要求。传感器是一种系统，可检测并响应多个物理输入并将它们转换为模拟或数字形式。传感器将这些变化转化为一种形式，可用作监测设备变量的标记。 MEMS由于其尺寸小、功耗低、性能优越和批量制造在小型化传感器中表现出优异的可行性。本文介绍了可服务于基于 MEMS 的设备的标准驱动和传感机制的最新发展，预计这将彻底改变当前时代的几乎许多产品类别。还讨论了驱动、传感机制和实际应用的特色原理。正确理解基于 MEMS 的器件的驱动和传感机制，对于有效选择新颖和复杂的应用设计起着至关重要的作用。

摘要 Cu2SnS3作为高容量锡基负极的改性材料，在锂离子电池应用中具有巨大的潜力。溶剂热法简单、方便、经济、易于放大，因此被广泛用于纳米晶体的制备。在这项工作中，Cu2SnS3 纳米粒子是通过溶剂热法制备的。研究了高温退火对Cu2SnS3纳米阳极的形貌、晶体结构和电化学性能的影响。实验结果表明，与制备的样品相比，高温退火提高了 Cu2SnS3 的电化学性能，从而提高了初始库仑效率并改善了循环和倍率特性。 介绍 锂离子电池广泛应用于电动汽车和便携式电子设备，但需要进一步改进能量密度、循环寿命、功率密度、安全性和环境兼容性等参数[1,2,3,4,5,6 ,7,8,9]。能量密度是最重要的

摘要 成功地制造出具有可控直径和长度的周期性排列的垂直排列的硅纳米线 (Si NW) 阵列。通过对单个纳米线的光电导原子力显微镜 (PCAFM) 研究它们的光电导特性。结果表明，Si NWs的光电流随着激光强度的增加而显着增加，表明Si NWs具有良好的光电导和光响应能力。这种光增强电导可归因于光诱导的肖特基势垒变化，I-V 曲线分析证实了这一点。另一方面，静电力显微镜（EFM）结果表明，在激光照射下，大量光生电荷被捕获在 Si NW 中，导致势垒高度降低。此外，还研究了具有不同直径和长度的 Si NW 的光电导性能的尺寸依赖性。研究发现，随着激光强度的增加，光电流的大小与纳米线的直径和长度

摘要 通过热蒸发途径合成了高质量的 Sn(IV) 掺杂的 CdS 纳米线。 XRD 和拉曼散射光谱均证实了掺杂效应。室温光致发光 (PL) 表明，近带隙发射和离散俘获态发射同时出现且显着，这归因于光传输过程中杂质和电子-声子耦合的强激子俘获。近带隙发射与俘获态发射的 PL 强度比可以通过 CdS 纳米线中掺杂的 Sn(IV) 浓度进行调节。有趣的是，在 1LO、2LO、4LO 声子的帮助下，俘获态发射显示出分离良好的峰，证明了这些掺杂 CdS 纳米线中的电子-声子耦合增强。 PL 寿命衰减曲线进一步揭示了 Sn(IV) 掺杂剂的影响。光学微腔在这个发射过程中也起着重要的作用。我们的研究结果将

摘要 掺杂是半导体器件制造的关键特征。在过去的几十年中，已经发现了许多用于控制半导体物理领域掺杂的策略。电掺杂是一种很有前途的策略，可用于有效调整电荷数量、电子特性和传输特性。这种掺杂过程降低了高温和异物污染的风险。在过去的几十年里，大量的实验和理论努力被证明用于研究电掺杂的特性。在本文中，我们首先简要回顾了电掺杂的历史路线图。其次，我们将在分子水平上讨论电掺杂。因此，我们将回顾一些分子水平的实验工作，同时回顾基于电掺杂进行的各种研究工作。然后我们找出电掺杂的重要性及其重要性。此外，我们描述了电掺杂的方法。最后，我们对电掺杂方法与常规掺杂方法进行了简要的比较研究。 介绍 掺杂在决定各种

摘要 这里我们报告了 ZrOx 基于负电容 (NC) FET，在 ± 1 V V 下具有 45.06 mV/十倍频程亚阈值摆幅 (SS) GS 系列，可在未来电压可扩展 NCFET 应用中实现新机遇。 Ge/ZrOx的类铁电行为 提出 /TaN 电容器源自氧空位偶极子。非晶态 HfO2 和 ZrOx 的 NC 效应 薄膜器件可以通过栅极泄漏的突然下降、负微分电阻 (NDR) 现象、I 的增强来证明 DS 和亚 60 亚阈值摆动。 5 纳米 ZrOx 基于 NCFET 的顺时针滞后为 0.24 V，低于 60 mV/decade SS 和 12% I 与不含 ZrOx 的控制装置相比，DS 增

摘要 自过去十年以来，二维 (2D) 拓扑绝缘体 (TI) 的发现展示了热电领域的巨大潜力。在这里，我们使用机械剥离合成了 65-400 nm 范围内各种厚度的 2D TI、Sb2Te3，并使用微拉曼光谱研究了 100-300 K 范围内的温度系数。分析了声子模式的峰值位置和线宽的温度依赖性，以确定温度系数，发现其数量级为 10–2 cm−1 /K，它随着 Sb2Te3 厚度的减小而减小。如此低的温度系数有利于实现高品质因数 (ZT ) 并为将这种材料用作热电材料的绝佳候选材料铺平道路。我们估计了 300 nm SiO2/Si 衬底上支持的 115 nm 厚 Sb2Te3 薄片的热导率，发现

摘要 基于光波导和柔性光学材料的相关特性，提出了一种面向触觉感知的柔性可拉伸光波导结构。光波导的传感原理是基于输出光损失引起的机械变形。它克服了传统光波导器件无法适应不规则表面的缺点。柔性可拉伸光波导采用纳米复制成型方法制造，已应用于触觉传感领域的压力和应变测量。柔性可伸缩光波导的应变检测范围为0～12.5%，外力检测范围为0～23 × 10–3 N. 介绍 光波导是一种引导光波传输的结构[1,2,3,4]。传统的刚性光波导无法满足柔性电子和软机器人的要求 [5,6,7]。柔性和可伸缩设备将成为机器人触觉传感系统的重要组成部分，它可以实现人机交互的感知，并具有高度的柔性、可伸缩性、适应

摘要 使用常规 X 射线和同步加速器纳米和微束衍射以及原子力显微镜和微拉曼光谱对合成掺硼金刚石单晶的表面结构进行了详细研究，以阐明最近发现的特征在他们之中。高出（111）金刚石表面的任意形状的岛是在晶体生长的最后阶段形成的。它们的横向尺寸从几微米到几十微米，高度从 0.5 到 3 微米。晶体生长的高度非平衡条件提高了硼的溶解度，因此导致表面岛上的硼浓度增加了 1022 厘米−3 ，最终在其中产生显着的压力。发现岛上的应力是体积拉伸应力。该结论基于金刚石拉曼峰从 1328 到 1300 cm−1 向较低频率的逐步移动 在各个岛屿中，并观察到 ​​X 射线衍射图中 2 θ 布拉格角 41.468

摘要 源自表达 microRNA 的人脐带间充质干细胞 (hucMSCs) 的外泌体已在人类疾病中得到强调。然而，hucMSCs 衍生的外泌体 miR-18b-3p 对先兆子痫（PE）的详细分子机制仍有待进一步研究。我们旨在研究外泌体和 miR-18b-3p/leptin (LEP) 对 PE 发生的影响。鉴定了hucMSC和hucMSC-外泌体（Exos）的形态。外泌体感染不同的表达 miR-18b-3p 的慢病毒，以探索 miR-18b-3p 在 PE 中的作用。腹腔注射N建立PE大鼠模型 -硝基-L-精氨酸甲酯。在 PE 大鼠胎盘组织中测试了 LEP 和 miR-18b-3p 的表达。

摘要 以抑郁症组蛋白去乙酰化酶 (HDAC) 为中心的研究已经过度进行，但对 HDAC1 的研究并不多。其中，本研究旨在揭示HDAC1/microRNA（miR）-124-5p/神经肽Y（NPY）轴在抑郁症中的作用机制。 Sprague Dawley 大鼠通过慢性不可预测的轻度应激刺激建立抑郁模型。向抑郁的大鼠注射抑制的 HDAC1 或抑制的 miR-124-5p，以探索它们在体重、学习和记忆能力、血清中的氧化应激和炎症以及海马组织中神经递质表达中的作用。测试了海马中的 MiR-124-5p、HDAC1 和 NPY 表达。还证实了 miR-124-5p、HDAC1 和 NPY 表达的相互作用

摘要 碳基材料是纳米技术多个领域研究的先锋。此外，它们在色谱中作为固定相的作用越来越重要。我们研究了一种由多壁碳纳米管 (CNT) 和超顺磁性氧化铁纳米颗粒组成的材料，以将其用作混合模式色谱材料。这个想法是将离子交换材料氧化铁固定在碳纳米管上，作为色谱过程的稳定基质，而不会产生显着的压降。氧化铁纳米颗粒被合成并用于通过共沉淀途径装饰碳纳米管。它们与氧化的碳纳米管壁结合，从而能够磁性分离复合材料。使用透射电子显微镜、磁力测定法、X 射线衍射、X 射线光电子和拉曼光谱研究这种混合材料。此外，我们确定了它的比表面积及其润湿行为。我们还证明了其作为用于氨基酸保留的色谱材料的适用性，描述了不同氨基酸在

摘要 在本文中，我们报告了一种用于面内双轴应变仪的新型基于 MoS2 的光栅传感器，其精度极限为 ~ 1‰。使用高达 5% 的不同双轴应变对 MoS2 光栅进行数值模拟。我们的第一性原理计算表明，MoS2 反射光谱的应变敏感性可以被视为与光栅结构集成的附加应变传感器，从而能够映射面内双轴应变。我们对原型 MoS2 光栅传感器的实验研究进一步证实，垂直于光栅周期的应变分量会导致光栅一阶衍射图案的强度峰值偏移。这项工作为在单光栅器件内检测面内双轴应变开辟了一条新途径。我们的新方法适用于在双轴应变下具有可预测反射响应和形成二维单晶层能力的其他材料。 介绍 柔性电子技术受到学术界和工业界的广泛

摘要 我们使用基于氩气的电感耦合等离子体 (ICP) 分析了用于光子学应用的钙钛矿氧化物的干法蚀刻。基于 Z-cut 铌酸锂 (LN) 已经证明了各种腔室条件及其对蚀刻速率的影响。测量结果具有可预测性和可重复性，可应用于其他钙钛矿氧化物，例如 X-cut LN 和氧化钡钛 (BTO)。原子力显微镜 (AFM) 证实，蚀刻的 LN 和 BTO 的表面粗糙度均优于其沉积后的对应物。能量色散X射线光谱（EDS）和X射线光电子能谱（XPS）方法均已用于表面化学成分的比较，定性和定量，根据测量结果未观察到明显的表面状态变化。用优化的氩基 ICP 蚀刻制造的光波导在 Z-cut LN 的 1550 nm